Как, несомненно, все уже давно догадались, под словами "надо бы ещё кое-чего подправить" (в #32) очевидно подразумевалась крайняя неудовлетворенность состоянием заградителя. В связи с этим, а также с целью минимизации необходимых отключений действующей ВЛ и снижения объёмов тяжелого физического труда, было решено проскрести некоторые сусеки на предмет наличия подходящих останков от прежних элементов настройки. Подходящие останки были успешно обнаружены в количестве, достаточном для сборки полноценного ЭН, ну и далее последовала собственно сборка ...
К реализации был выбран тип схемы, которая в старых РУ по ВЗ (тех самых, старых, временных и покуда единственных, что от 1967 года) именуется как двухчастотная притупленная, но с той разницей, что у меня эта "двухчастотность" преобразилась в настройку контуров на достаточно близкие друг другу частоты, что сулило полосу заграждения с достаточно высоким сопротивлением ширины заметно большей, нежели при одночастотной притупленной настройке:
http://rzia.ru/uploads/images/169/0eaa23af10f8aeb7c009da1ca98a5573.png
Рис. 34a Принципиальная схема ЭН для заградителя с реактором 0,25мГн канала 60кГц
http://rzia.ru/uploads/images/169/72c59d03f1362ee53b82516375b1d601.png
Рис. 34b Расчетная (модель) частотная характеристика сопротивления заградителя .
Далее, для исключения возможных ошибок, представлялось желательным как-нибудь предварительно проверить что же вышло в результате ...
Для такой проверки не хватало какого-нибудь свободного завалящего реактора ..., - да и почему, собственно, именно реактора? - к чёрту реактор, воспользуемся какой-нибудь менее громоздкой и более-менее приблизительно подходящей по индуктивности катушкой.
Самой подходящей из катушек, что была под рукой, оказалась одна из обмоток трансформатора от фильтра присоединения, измерение индуктивности которой показало 0,238мГн (что, кстати, довольно близко к ном. индуктивности реактора), а измерение частоты собственного резонанса - 540кГц. - Отлично!, - тогда моделируем (рассчитываем) ЧХ заграждения с такой индуктивностью (0,238мГн), а потом снимаем (измеряем) её же в реальной схеме. И, если такая модель даст с измерениями расхождения незначительные, то это будет основанием полагать, что и реальная характеристика ВЗ с реальным реактором разойдется с моделью также незначительно, т.е. будет более-менее соответствовать Рис. 34b (выше).
Таким образом, лабораторная проверка с более-менее приблизительно подходящей индуктивностью показала - см. Рис. 34c ниже:
http://rzia.ru/uploads/images/169/436bfb6344a2d9fcc45622b2d1bd788a.png
Рис. 34c Измеренная и расчетная характеристики модуля полного сопротивления при работе ЭН с катушкой индуктивностью 0.238 мГн, активным сопротивлением ок. 1 Ом и частотой собственного резонанса 540кГц
За сим я счёл, что отличия модели от измерений незначительны, и что после замены старого ЭН на вновь собранный, реальный заградитель заработает как надо.
.... PS. А не возьмется ли какой-нибудь из участников обсуждения примерно спрогнозировать (предсказать, предположить), как замена ЭН отразится на той же самой характеристике входного Z ВЧ тракта... естественно в наиболее интересующей окрестности частоты ВЧ канала (60кГц) - т.е. какие изменения следует ожидать по сравнению с Рис.32c из сообщ. #32 , и вообще, будут ли изменения сколь-нибудь значительны ?
Post's attachmentsZ_114Gol_34a_EN_new_scheme.png 54.18 Кб, файл не был скачан.
Z_114Gol_34b_EN_new_model_of_Zvz.png 8.16 Кб, файл не был скачан.
Z_114Gol_34c_EN_new_model_and_test_with_0238mH_res540kHz.png 7.87 Кб, файл не был скачан.
You don't have the permssions to download the attachments of this post.