Тема: Дифференциальная защита тр-ра на терминале Sepam T81
Здравствуйте, уважаемые!
Помогите разобраться, такая ситуация, волею судьбы досталась тема диплома, связанная с релейной защитой, хотя по работе занимаюсь проектированием силовой части подстанций, РЗ никогда углубленно не изучал, был только курс лекций. По диплому сейчас тружусь над созданием лабратории микропроцессорных релейных защит на базе Sepam. Пишу описание к лабе по дифзащите тр-ров. Вопрос следующий, во всех книгах (Чернобровов, Андреев, Шабад) пишут, что ДЗ отстраивается от тока небаланса, который состоит из трех составляющих:
1) составляющая, обусловленная разностью намагничивающих токов ТТ в плечах защиты
2) составляющая, возникающая из-за регулирования коэф. трансформации тр-ра;
3) составляющая, обусловленная невозможностью установки на реле типов РНТ и ДЗТ уравнительных обмоток с точным расчетным числом витков.
Это, как я понимаю, для реле на электромеханической элементной базе, а как рассчитывается ток небаланса для микропроцессорных реле?
P.S. Извините, если возможно не в том разделе разместил тему, и если написал довольно тупой вопрос))))) Я довольно далек от темы релейной защиты, но партия сказала "надо!" - значит надо)
Спасибо!